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反 應(yīng) 離 子 刻 蝕 設(shè) 備CPN-H 6 7 -12A 型

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備CPN-H67-12A型：該設(shè)備主要用于半導(dǎo)體集成電路制造中氮化硅、多晶硅、二氧化硅的干法刻蝕；而且還能刻蝕鉻、氧化鉻、鋁等

詳細(xì)介紹

 反 應(yīng) 離 子 刻 蝕 設(shè) 備CPN-H 6 7 -12A 型：

       該設(shè)備主要用于半導(dǎo)體集成電路制造中氮化硅、多晶硅、二氧化硅的干法刻蝕；而且還能刻蝕鉻、氧化鉻、鋁等。:采用上電極進(jìn)源的平行平板電極，具有各向異性腐蝕，因而腐蝕精度高。反應(yīng)室鐘罩電動(dòng)升降：抽氣管道采用大口徑不銹鋼波逢管，配有30升的羅茨泵機(jī)組，帶有壓力控制裝置。


主要技術(shù)指標(biāo)：

1、主機(jī)電源：380v/50Hz  5KVA  。                                                                                                                                        

2、電極間距：10～30mm可調(diào)。

3、裝片量：Ф50     8片次，Ф75     3片/次，Ф127    1片/次。

4、均勻性：＜5%。

5、刻蝕速率：1000A°/min（Sino2）。

6、射頻電源：f=13.56Mhz，p=200-1000W， 駐波比＜1.5。

7、極限真空度： 2pa。

8、供氣系統(tǒng)：三路質(zhì)量流量計(jì)。

9、外型尺寸：1000×800×1800。

10、重量：200Kg。


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