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TH512 半導(dǎo)體C-V特性分析儀

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)介T(mén)H510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì),針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器

詳細(xì)介紹

簡(jiǎn)介

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì),針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。

儀器采用了一體化集成設(shè)計(jì),二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導(dǎo)體功率器件寄生電容、CV特性可一鍵測(cè)試,無(wú)需頻繁切換接線(xiàn)及設(shè)置參數(shù),單管功率器件及模組功率器件均可一鍵快速測(cè)試,適用于生產(chǎn)線(xiàn)快速測(cè)試、自動(dòng)化集成。

CV曲線(xiàn)掃描分析能力亦能滿(mǎn)足實(shí)驗(yàn)室對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件的研發(fā)及分析。

儀器設(shè)計(jì)頻率為1kHz-2MHz,VGS電壓可達(dá)±40V,VDS電壓可達(dá)±200V/±1500V/±3000V,足以滿(mǎn)足大多數(shù)功率器件測(cè)試。

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功能特點(diǎn)

 

A.一體化測(cè)試,集成度高、體積小、效率高

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一臺(tái)儀器內(nèi)置了LCR數(shù)字電橋、VGS電壓源、VDS電壓源、高低壓切換矩陣以及上位機(jī)軟件,將復(fù)雜的接線(xiàn)、繁瑣的操作集成在支持電容式觸摸的Linux系統(tǒng)內(nèi),操作更簡(jiǎn)單。特別適合產(chǎn)線(xiàn)快速化、自動(dòng)化測(cè)試。

B.單管器件測(cè)試,10.1寸大屏,四種寄生參數(shù)同屏顯示,讓細(xì)節(jié)一覽無(wú)遺

MOSFET或IGBT重要的四個(gè)寄生參數(shù):Ciss、Coss、Crss、Rg,Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測(cè)試,10.1寸大屏可同時(shí)將測(cè)量結(jié)果、等效電路圖、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時(shí)顯示,一目了然。

一鍵測(cè)試單管器件器件時(shí),無(wú)需頻繁切換測(cè)試腳位、測(cè)量參數(shù)、測(cè)量結(jié)果,大大提高了測(cè)試效率。

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C.列表測(cè)試,多個(gè)、多芯、模組器件測(cè)量參數(shù)同屏顯示

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)單管器件、6芯器件或6模組器件測(cè)試,所有測(cè)量參數(shù)通過(guò)列表掃描模式同時(shí)顯示測(cè)試結(jié)果及判斷結(jié)果。

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D.曲線(xiàn)掃描功能(選件)

在MOSFET的參數(shù)中,CV特性曲線(xiàn)也是一個(gè)非常重要的指標(biāo),如下圖

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TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線(xiàn)分析,可以以對(duì)數(shù)、線(xiàn)性?xún)煞N方式實(shí)現(xiàn)曲線(xiàn)掃描,可同時(shí)顯示多條曲線(xiàn):同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線(xiàn);同一Vg、不同參數(shù)多條曲線(xiàn)。

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E.接觸檢查(Contact)功能,提前排除自動(dòng)化測(cè)試隱患

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F.快速通斷測(cè)試(OP_SH),排除損壞器件

在半導(dǎo)體器件特性測(cè)試時(shí),由于半器件本身是損壞件,特別是多芯器件其中一個(gè)芯已經(jīng)損壞的情況下,測(cè)試雜散電容仍有可能被為合格,而半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通特性才是重要的特性。

因此,對(duì)于本身導(dǎo)通特性不良的產(chǎn)品進(jìn)行C-V特性測(cè)試是沒(méi)有必要的,不僅僅浪費(fèi)了測(cè)量時(shí)間,同時(shí)會(huì)由于C-V合格而混雜在良品里,導(dǎo)致成品出貨后被退回帶來(lái)?yè)p失.

TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀提供了快速通斷測(cè)試(OP_SH)功能,可用于直接判斷器件本身導(dǎo)通性能。

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G.模組式器件設(shè)置,支持定制

針對(duì)模組式器件如雙路(Dual)MOSFET、多組式IGBT,有些器件會(huì)有不同類(lèi)型芯片混合式封裝;TH510系列CV特性分析儀針對(duì)此情況做了優(yōu)化,常見(jiàn)模組式芯片Demo已內(nèi)置,特殊芯片支持定制.

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H.簡(jiǎn)單快捷設(shè)置

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I.10檔分選及可編程HANDLER接口

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J.支持定制化,智能固件升級(jí)方式

同惠儀器對(duì)于客戶(hù)而言是開(kāi)放的,儀器所有接口、指令集均為開(kāi)放設(shè)計(jì),客戶(hù)可自行編程集成或進(jìn)行功能定制,定制功能若無(wú)硬件更改,可直接通過(guò)固件升級(jí)方式更新。

儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級(jí)等,都可以通過(guò)升級(jí)固件(Firmware)來(lái)進(jìn)行更新,而無(wú)需返廠進(jìn)行。

固件升級(jí)非常智能,可以通過(guò)系統(tǒng)設(shè)置界面或者文件管理界面進(jìn)行,智能搜索儀器內(nèi)存、外接優(yōu)盤(pán)甚至是局域網(wǎng)內(nèi)升級(jí)包,并自動(dòng)進(jìn)行升級(jí)

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K.技術(shù)解決Ciss、Coss、Crss、Rg產(chǎn)線(xiàn)/自動(dòng)化系統(tǒng)高速測(cè)試精度

同惠電子在電容測(cè)試行業(yè)近30年的經(jīng)驗(yàn)積累,得以在產(chǎn)線(xiàn)、自動(dòng)化測(cè)試等高速高精度測(cè)試場(chǎng)合,都能保證電容、電阻等測(cè)試精度。

常規(guī)產(chǎn)線(xiàn)測(cè)試,提供標(biāo)準(zhǔn)0米測(cè)試夾具,直插器件可直接插入進(jìn)行測(cè)試,Ciss、Coss、Crss、Rg測(cè)試精度高。

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針對(duì)自動(dòng)化測(cè)試,由于自動(dòng)化設(shè)備測(cè)試工裝通常需要較長(zhǎng)連接線(xiàn),大多自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn)商在延長(zhǎng)測(cè)試線(xiàn)時(shí)會(huì)帶來(lái)很大的精度偏差,為此,同惠設(shè)計(jì)了的2米延長(zhǎng)線(xiàn)并內(nèi)置了2米校準(zhǔn),保證Ciss、Coss、Crss、Rg測(cè)試精度和0米測(cè)試夾具一致

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L.半導(dǎo)體元件寄生電容知識(shí)

在高頻電路中,半導(dǎo)體器件的寄生電容往往會(huì)影響半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)特性,所以在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體元件時(shí)需要考慮下列因數(shù)

在高頻電路設(shè)計(jì)中往往需要考慮二極管結(jié)電容帶來(lái)的影響;MOS管的寄生電容會(huì)影響管子的動(dòng)作時(shí)間、驅(qū)動(dòng)能力和開(kāi)關(guān)損耗等多方面特性;寄生電容的電壓依賴(lài)性在電路設(shè)計(jì)中也是至關(guān)重要,以MOSFET為例。

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M.標(biāo)配附件

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應(yīng)用

 半導(dǎo)體元件/功率元件

二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光

電子芯片等寄生電容測(cè)試、C-V特性分析

 半導(dǎo)體材料

晶圓切割、C-V特性分析

 液晶材料

彈性常數(shù)分析

電容元件

電容器C-V特性測(cè)試及分析,電容式傳感器測(cè)試分析

 

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

 

TH511

TH512

TH513

通道數(shù)

 

2(可選配4/6通道)

 

1

顯示

顯示器

 

10.1英寸(對(duì)角線(xiàn))電容觸摸屏

比例

 

16:9

分辨率

 

1280×RGB×800

測(cè)量參數(shù)

 

Ciss、Coss、Crss、Rg,四參數(shù)任意選擇

測(cè)試頻率

范圍

 

1kHz-2MHz

精度

 

0.01%

分辨率

 

10mHz                 1.00000kHz-9.99999kHz

100mHz               10.0000kHz-99.9999kHz

1Hz                      100.000kHz-999.999kHz

10Hz                    1.00000MHz-2.00000MHz

測(cè)試電平

電壓范圍

 

5mVrms-2Vrms

準(zhǔn)確度

 

±10%×設(shè)定值+2mV

分辨率

 

1mVrms               5mVrms-1Vrms

10mVrms             1Vrms-2Vrms

VGS電壓

范圍

 

0 - ±40V

準(zhǔn)確度

 

1%×設(shè)定電壓+8mV

分辨率

 

1mV               0V - ±10V

10mV             ±10V -±40V

VDS電壓

范圍

 

0 - ±200V

 

0 - ±1500V

0 - ±3000V

準(zhǔn)確度

 

1%×設(shè)定電壓+100mV

輸出阻抗

 

100Ω,±2%@1kHz

數(shù)學(xué)運(yùn)算

 

與標(biāo)稱(chēng)值的偏差Δ,與標(biāo)稱(chēng)值的百分比偏差Δ%

校準(zhǔn)功能

 

開(kāi)路OPEN、短路SHORT、負(fù)載LOAD

測(cè)量平均

 

1-255

AD轉(zhuǎn)換時(shí)間(ms/次)

 

快速+0.56ms(5kHz) 快速:3.3ms 中速:90ms 慢速:220ms

準(zhǔn)確度

 

0.5%(具體參考說(shuō)明書(shū))

  Ciss、Coss、Crss

 

0.00001pF - 9.99999F

Rg

 

0.001mΩ - 99.9999MΩ

Δ%

 

±0.000% - 999.9%

多功能參數(shù)列表掃描

點(diǎn)數(shù)

 

50點(diǎn),每個(gè)點(diǎn)可設(shè)置平均數(shù),每個(gè)點(diǎn)可單獨(dú)分選

參數(shù)

 

測(cè)試頻率、VgVd、通道

觸發(fā)模式

 

順序SEQ:當(dāng)一次觸發(fā)后,在所有掃描點(diǎn)測(cè)量,/EOM/INDEX只輸出一次

步進(jìn)STEP:每次觸發(fā)執(zhí)行一個(gè)掃描點(diǎn)測(cè)量,每點(diǎn)均輸出/EOM/INDEX,但列表掃描比較器結(jié)果只在最后的/EOM才輸出

圖形掃描

掃描點(diǎn)數(shù)

 

任意點(diǎn)可選,最多1001點(diǎn)

結(jié)果顯示

 

同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線(xiàn);同一Vg、不同參數(shù)多條曲線(xiàn)

顯示范圍

 

實(shí)時(shí)自動(dòng)、鎖定

坐標(biāo)標(biāo)尺

 

對(duì)數(shù)、線(xiàn)性

掃描參數(shù)觸發(fā)方式

 

Vg、Vd

單次

手動(dòng)觸發(fā)一次,從起點(diǎn)到終點(diǎn)一次掃描完成,下個(gè)觸發(fā)信號(hào)啟動(dòng)新一次掃描

連續(xù)

從起點(diǎn)到終點(diǎn)無(wú)限次循環(huán)掃描

結(jié)果保存

 

圖形、文件

 

標(biāo)配
配件名稱(chēng) 型號(hào)
測(cè)試夾具 TH26063B
測(cè)試夾具 TH26063C
TH510夾具控制連接電纜 TH26063D
TH510測(cè)試延長(zhǎng)線(xiàn) TH26063G


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