詳細(xì)描述
本設(shè)備可實(shí)現(xiàn)3-4種不同材料的磁控共濺射,以及可實(shí)現(xiàn)一次多達(dá)8種不同材料、各種金屬膜、非金屬膜、介質(zhì)膜的濺射。
本設(shè)備采用PLC控制,觸摸顯示屏操作。其數(shù)字化參數(shù)界面和自動(dòng)化操作方式為用戶(hù)提供了優(yōu)良的研發(fā)和生產(chǎn)平臺(tái)。
本設(shè)備通過(guò)對(duì)真空系統(tǒng)、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量及工藝過(guò)程的全自動(dòng)控制,以及所具有的安全互鎖、智能監(jiān)控、在線狀態(tài)記憶、斷點(diǎn)保護(hù)等功能。使設(shè)備的安全性、重復(fù)性、穩(wěn)定性、可靠性得到有效保證。
本設(shè)備帶有進(jìn)樣室,機(jī)械手自動(dòng)取送片機(jī)構(gòu),機(jī)械手在三室之間自動(dòng)傳送樣片,自動(dòng)化程度高。
本設(shè)備主要用于微電子、光電子、通訊、微機(jī)械等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
產(chǎn)品主要性能及指標(biāo)
型號(hào) | MSIB-6000 |
真空系統(tǒng) | 進(jìn)樣室:機(jī)械泵系統(tǒng)。 磁控濺射室/離子束濺射室:分子泵機(jī)組。 |
真空室數(shù)量 | 進(jìn)樣室:1,磁控濺射室:1,離子束濺射室:1 |
樣片尺寸 | 6英寸 |
濺射靶規(guī)格及數(shù)量 | ?50mm、?60mm、?80mm可選,1-4靶可選。 |
離子束濺射靶規(guī)格及數(shù)量 | ?100mm;4靶。 |
濺射室樣品臺(tái) | 可旋轉(zhuǎn)、轉(zhuǎn)速連續(xù)可調(diào)。 |
濺射不均勻性 | ≤ ±5% |
濺射方式 | 旋轉(zhuǎn)濺射,多靶共濺射。 |
濺射形式 | 多靶系列可實(shí)現(xiàn)單一靶材濺射,復(fù)合靶材濺射,兩種材料交替濺射。 |
離子源規(guī)格及數(shù)量 | 濺射離子源?80mm一個(gè),輔助離子源?80mm一個(gè)。 |
自動(dòng)化程度 | 真空系統(tǒng)、壓強(qiáng)控制、射頻電源匹配、氣體流量、工藝過(guò)程自動(dòng)化。 |
人機(jī)界面 | Windows環(huán)境、PLC控制、觸摸屏操作 |
操作方式 | 全自動(dòng)方式、非全自動(dòng)方式 |
自動(dòng)化裝置的選配 | 可選擇進(jìn)口件或國(guó)產(chǎn)件 |
取/送樣片方式 | 機(jī)械手自動(dòng)取/送樣片 |